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产品型号:全新
更新时间:2026-02-24otsuka大塚电子 FE-5000 多功能光谱椭偏仪
otsuka大塚电子 FE-5000 多功能光谱椭偏仪
除了能够进行高精度薄膜分析的光谱椭偏仪之外,该系统还配备了自动可变测量角度机构,使其适用于所有类型的薄膜。除了传统的旋转分析器方法之外,该系统还配备了自动延迟板安装/拆卸机构,从而提高了测量精度。
产品信息
特征
能够测量紫外-可见光波长范围(300至800纳米)内的椭偏参数
能够分析纳米级多层薄膜的厚度。
利用具有超过 400 个通道的多通道光谱仪快速测量椭偏光谱
可变角度反射测量能够对薄膜进行详细分析。
新增光学常数数据库和配方注册功能,提高了操作性。
测量项目
椭偏参数(tanψ,cosΔ)测量
光学常数(n:折射率,k:消光系数)分析
薄膜厚度分析
测量目标
半导体晶片栅极
氧化层薄膜、氮化物薄膜(SiO₂
、SiₓOᵧ 、 SiN、SiON、SiNₓ、Al₂O₃、SiNₓOᵧ)、多晶硅、ZnSe 、 BPSG、TiN光刻胶 的光学常数(波长色散)
化合物半导体
Al x Ga (1-x)作为多层薄膜,非晶硅
FPD
对准膜
各种新型材料,
例如类金刚石碳(DLC)、超导薄膜、磁性薄膜
光学薄膜
TiO₂ 、SiO₂ 、抗反射涂层
光刻领域:
对每个波长进行 n 和 k 值评估,例如 g 线 (436 nm)、h 线 (405 nm) 和 i 线 (365 nm) 。
原则
含有s波和p波的线偏振光入射到样品上,并测量反射光的椭圆偏振光。s波和p波的相位和振幅独立变化,因此可以获得p波与s波反射率之比(tanψ)和相位差(Δ),这两个参数是两种偏振类型之间的转换参数,且与样品有关。
规格
规格
模型FE-5000系列
测量方法旋转分析仪法* 1
测量薄膜厚度范围(nd)0.1纳米至1微米
入射(反射)角范围45至90度
入射(反射)角驱动方法自动正弦杆驱动系统
tan ψ 测量精度±0.01 或更小
cosΔ测量精度±0.01 或更小
薄膜厚度的重复性0.01% 或更低* 2
波长范围* 3300至800纳米
测量光源高稳定性氙灯
舞台驱动系统手动/自动
*1 偏振器可驱动,并配有可拆卸式延迟器用于消除死区。
*2 使用 VLSI 标准 SiO2 薄膜(100 nm)时的数值。
*3 选择自动载物台时的数值。
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