ADCMT爱德万 直流数字电压静电计 8252
显示分辨率：
位（最大显示 199999，7351 兼容功能）
位显示可实现高分辨率测量
VA LCD 显示屏，字符较大，易于阅读
可变积分功能（200 μs 至 2 s）
4线电阻测量/4线低功耗电阻测量功能
采用铂电阻温度计的温度测量功能

ADCMT爱德万 直流数字电压静电计 8252

ADCMT爱德万 直流数字电压静电计 8252‍

 数字静电计

8252

直流电压测量：3 V 至 200 V 范围，最小分辨率 10 μV

直流电流测量：30 pA 至 30 mA 范围，最小分辨率 1 fA

电阻测量：3 kΩ至200 GΩ范围，最小分辨率10 mΩ

电荷测量：1 nC 至 10 μC 范围，最小分辨率 1 fC

 ±200V电压发生功能

施加电压电阻测量可测量2×10 17 Ω

多种扫描测量功能使其成为评估各种设备的理想选择

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8252 是一款高性能 5½ 位数字静电计，具有 ±200 V 电压源功能。它可以测量 1 fA 电流、±210 V 范围内 2×1014 Ω高输入阻抗电压 、210 GΩ 电阻和 1 fC 电荷。

此外，其具备多种扫描功能的电压生成功能，非常适合用于评估各种器件和材料。电流测量方面，采用积分电流电压 (ICV) 技术，可有效抵抗感应噪声，并实现高速测量。

此外，VSRM（电压施加电阻测量）功能允许测量 2 x 10 17 Ω 的绝缘电阻。

特征

电压产生和各种扫描功能

8252 内置 ±200 V 可编程电源。提供两种电源模式：常规模式（与测量异步运行）和扫描模式（与测量同步变化）。扫描模式提供三种：固定、线性和随机，您可以根据应用选择最合适的扫描测量。

固定扫描测量

：精确充电时间后测量绝缘电阻。

偏置值：扫描开始前用户指定的值。Td

：测量延迟

线性扫描测量

用于测量二极管和场效应晶体管（FET）等半导体的 I-V 特性

随机扫描测量

用于与随机电压生成同步的高速测量

可以在噪声影响最小的情况下进行测量

传统静电计具有较高的输入阻抗，可以测量极小的电流和高电阻，但容易受到外部感应噪声的影响。8252 采用以下功能，可最大限度地降低噪声的影响。

低噪声双同轴（三轴）输入电缆，防止因电缆振动引起的噪声

采用抗噪声的积分方法

- 与传统反馈方法相比，具有更高抗噪声能力的积分电流-电压转换器

- 高动态范围 AD 转换器，可实现高噪声抑制率（噪声为满量程的 2 至 3 倍）

- 积分时间可在 1 ms 至 1 s 之间变化

使用移动平均消除噪声的平滑函数 

Driving Guard 功能可实现高阻抗信号源电压和电阻的高速测量

在电压和电阻测量中，当信号源电阻或待测电阻较大（100 MΩ 或更大）时，由于电缆电容以及 Hi 和 Lo 端子之间的杂散电容，响应速度会变慢。例如，如果信号源电阻为 1000 MΩ，电缆电容为 100 pF，则由于时间常数 (t=100 ms)，达到最终值 ±0.1% 以内的响应时间约为 700 ms。为了改善此响应速度，8252 采用了驱动保护方法，该方法使用与输入电压相同的电位驱动输入电缆的内屏蔽，使从 Lo 端子看到的阻抗看起来为零。此外，通过电缆和连接器从测量输入端子流到 Lo 端子的漏电流也会减少，因此视在绝缘电阻也会增加。使用此功能可使响应速度提高 10 倍以上。

带驱动保护器的测量：

使用驱动保护器时，输入电缆芯线与内屏蔽层处于同一电位，因此输入电缆的电容CX1可忽略不计。此外，由于内屏蔽层和外屏蔽层之间的阻抗较低，因此CX2也可忽略不计。

接触检查功能可检测接触不良

接触检查原理图

8252 可以使用接触检查功能检测测量电缆与 DUT 之间、测量电极之间以及夹具与 DUT 之间的接触不良。该接触检查功能会在常规模式下每次测量时判断测量输入端子与 LO 端子或电压源端子之间的电容，并在 DCI 功能 30 pA 至 300 μA 范围内的扫描模式下开始扫描时判断测量输入端子与 LO 端子或电压源端子之间的电容。 

处理器接口和 PASS/FAIL 判断功能非常适合生产线使用

8252标配GPIB接口、TRIGGER、COMPLETE、INTERLOCK单线信号，以及用于连接自动化设备的处理器接口。此外，还具备比较运算功能，通过与接触检查功能配合使用，可以输出反映比较判断结果和接触检查结果的PASS/FAIL信号。这可在电容器漏液测试、绝缘电阻测试等中实现高速自动选择。

应用

用于各种半导体的评估和自动检查

8252除了具备1 fA电流测量和10 μV电压测量功能外，还配备了能够进行VSIM（电压源电流测量）/ISVM（电流源电压测量）的可编程电源，通过组合这些功能，可以进行各种半导体评估测试。此外，它还标配GPIB、处理程序IF和各种单线信号，非常适合作为评估系统的组成部分。

・二极管和场效应晶体管（FET）的I-V特性测试

高分辨率 8252 非常适合测量几 pA 或更低电流下的 I-V 特性，例如光电二极管 (PD) 的暗电流特性和 MOSFET 的栅极电流。线性扫描功能可生成最多 5000 个步长并存储测量数据，自动量程测量功能可设置测量范围的移动范围，自动量程延迟功能可设置每个量程的延迟时间，从而实现稳

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